מספר מוצר של יצרן:
IPP10N03LB G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP10N03LB G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12823396
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP10N03LB G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 20µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1639 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
58W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP10N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000680860
IPP10N03LBGX
IPP10N03LBGIN
IPP10N03LBGXK
SP000064222
IPP10N03LB G-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
PSMN4R3-30PL,127
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
4699
DiGi מספר חלק
PSMN4R3-30PL,127-DG
מחיר ליחידה
0.72
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
PSMN2R0-30PL,127
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
9215
DiGi מספר חלק
PSMN2R0-30PL,127-DG
מחיר ליחידה
1.11
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRLB8721PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
18825
DiGi מספר חלק
IRLB8721PBF-DG
מחיר ליחידה
0.36
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRL3803PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3320
DiGi מספר חלק
IRL3803PBF-DG
מחיר ליחידה
0.84
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7465PBF
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
LND150N3-G-P013
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
IRF6678TR1
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET